製程/設備/材料趨於成熟3D IC量產只欠東風- 懂市場- 新電子科技 ... 除了成本不斷下降，促使3D IC逐漸獲得廠商青睞外，TSV製程技術與材料、設備陸續齊備，有助加快3D IC ...
3D-IC 先進製程來臨對我國材料與設備產業之商機探討 - ITIS智網 大環境的變化，3D-IC 先進製程帶來的機會與挑戰，3D-IC 重要技術衍. 生的材料需求，全球3D-IC 構裝材料 ...
製程微縮瓶頸浮現 三維晶片接棒超越摩爾 - 技術前瞻 - 新通訊元件雜誌 晶片堆疊 晶片堆疊(Die Stacking)則是將晶片薄化後進行堆疊，然後用打線(Wire Bond)的方法將訊號連接。目前廣泛應用的Micro SD卡的多晶片封裝(Multi-Chip Package, MCP)即採用此方法。其優點是技術成熟、成本低，但因打線、磨薄及黏合材料等限制，在厚薄度 ...
設備及晶圓廠技術躍進 2013將為3D IC量產元年 - 懂市場 - 新電子科技雜誌 3D IC將於2013年大量量產。由於半導體設備商、晶圓代工廠加碼投資，並全力衝刺技術研發，3D IC兩道關鍵製程--TSV及Via-Reveal已出現重大突破，包括台積電、聯電等晶圓大廠均將陸續導入量產，推助3D IC出貨量急速攀升。 在半導體
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 自動檢測系統可提高3D IC的良率及降低製作成本 - Semicondutor Magazine 3> 此文章敘述Sematech公司與紐約州立大學合作進行晶圓堆疊（wafer-to-wafer, WtW）3D互連製程的研究，目的是要建立下一代3D IC及矽穿孔製程的標準及最佳的自動檢測系統。 3> 以今日發展來說，三度空間積體電路
跳脫製程技術極限思維3D IC再續摩爾定律 - 新通訊元件雜誌 英特爾(Intel)創辦人之一的摩爾(Gordon Moore)在1965年預測單一矽晶片的電晶體數目，每隔18月將會增加一倍(圖1)，這就是著名摩爾定律(Moore's Law)的原由。
三維晶片- 维基百科，自由的百科全书 3D IC是將多顆晶片進行三維空間垂直整合，以因應半導體製程受到電子及材料的物理極限。 半導體行業追求這個有前途的技術，在許多不同的形式，但它尚未被廣泛 ...
3D IC構裝用高分子接合材料介紹 - 工業技術研究院 2012年10月25日 - 3D IC構裝技術是最近幾年相當熱門而新興的技術領域，主要是因為利用 ... 因此，瞭解3D IC相關材料特性需求，將有助於3D IC製程技術的發展。
未來領先技術導向－三維矽穿孔技術（3D TSV） - 國家奈米 ... 同的晶片上，隨著製程技術的提升而需容納更多的電晶. 體數目時，且成長速度 ... Dimension, 3D）整合系統構裝展現出3D IC 晶片面積的. 縮減，並將其性能達到最佳化 ...
